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Las ventajas y desventajas de Hynix

¿Estás preguntando por las ventajas y desventajas de MRAM?

Análisis de ventajas de MRAM: el área central de MRAM es solo 1/2-1/4 de SRAM, lo que significa que la capacidad de caché en la misma área es 2-4 veces mayor que la de SRAM, lo que puede reducir en gran medida los costos si desea mejorar aún más el rendimiento de la CPU, la capacidad del caché también debe aumentarse para acomodar más datos e instrucciones, y el área central ocupada por el caché suele ser mayor que el área central (solo mire); en el diagrama de arquitectura del procesador Intel Core, Nvidia también criticó a Intel por decir que sus chips en realidad venden cachés sin contenido técnico; en este sentido, IBM y Seagate publicaron resultados de una investigación sobre la aplicación de MRAM en caché L2 en la HPCA de 2009 ( Simposio internacional sobre arquitectura informática de alto rendimiento). Primero, construyeron un modelo y fabricaron SRAM y MRAM utilizando un proceso COMS de 65 nm. En la misma zona, la capacidad de este último puede ser 4 veces mayor que la del primero. Si se convierte en celdas de memoria, la cantidad de celdas de MRAM es aproximadamente 40, mientras que la cantidad de celdas de SRAM es 146.

Las desventajas de MRAM son: rendimiento de escritura reducido; la tecnología MRAM no está exenta de deficiencias, y el rendimiento de escritura reducido es un ejemplo. Los resultados de la simulación muestran que la velocidad de escritura de MRAM cae entre un 12% y un 19%, y el rendimiento general de las instrucciones IPC cae entre un 3% y un 7,5%. El retraso de sram es de aproximadamente 2.264 ns, mientras que el retraso de MRAM es de 11.024 ns, que es más de 5 veces mayor que el de la primera. El aumento del consumo de energía al escribir datos también es una de las desventajas de la MRAM. La SRAM consume sólo 0,797 nJ (nanojulios) durante el proceso de escritura, mientras que la MRAM requiere 4,997 nJ, que es más de 6 veces más que la anterior. Sin embargo, es diferente cuando está en espera. 2 MB de SRAM requieren un consumo de energía de 2,089 W y 8 MB de MRAM solo requieren 0,255 W. Esta es una victoria abrumadora. MRAM es resistente a altas radiaciones, funciona en condiciones de temperatura extrema y es a prueba de manipulaciones. Esto hace que MRAM sea adecuado para aplicaciones automotrices, industriales, militares y espaciales, lo cual es un componente importante para los desarrolladores de MRAM.