Logros académicos de Wang Taihong
2) Uso de nanopartículas cúbicas de platino recortadas como catalizador de ánodo para pilas de combustible de metanol directo, Liu Yongguo, Shi Shaolin, Xue Xiaoyan, Zhang Jinyou, Wang Yongguo, Wang Donghui, Física Aplicada . 92, 203105 (2008)
3) Comportamiento metálico inducido por dopaje degenerado en nanocintas de ZnO, Lu Taihong, Wang Taihong, Física Aplicada. 93, 103109 (2008)
4) Nanocables de dióxido de estaño ramificados en estructuras principales de nanocables metálicos para aplicaciones de sensores de etanol, Wan Qing, Huang Huang, Zhong Xie, Wang Taihong, Eric N. ·Datoli y Lu Wei, Universidad de Física Aplicada. 92, 102101 (2008)
5) Actividad intrínseca similar a la peroxidasa de nanopartículas ferromagnéticas, Gao Lizeng, Leng Nie, Wang Taihong, Jing Feng, Yang Dongling, SARAH Perrett1 y Nature Nanotechnology, 2, 577 (2007) )
6) Fabricación controlable y propiedades eléctricas de nanocables de Cu2O monocristalinos con alta relación de aspecto, Tan Yiwei, Xue, Wang Taihong, Nano Letters 7, 3723 (2007)
7) Ruido de disparo con efectos de interacción en nanotubos de carbono de pared simple, F. Wu, P. Queipo, A. Nasibulin, T. Tsuneta, T. H. Wang, E. Kauppinen y P. J. Hakonen, Phys. Rev. Lett.99, 156803 (2007). )
8) Comportamiento metálico inducido por dopaje degenerado en nanocintas de ZnO, Lu Taihong y Wang Taihong, Applied Physics Letters 93, 03109, 2008
9) Fotoconductividad anormal de nanocables de óxido de cerio en el aire. Wang, Física Aplicada. 91, 073104 (2007)
10) Detección de gas controlada por agotamiento de la superficie de nanobarras de ZnO cultivadas a temperatura ambiente, Física Aplicada. 91, 032101 (2007)
11) Detección de oxígeno extremadamente alta en nanocables individuales de ZnSnO3 inducidos por la modulación de la barrera del límite de grano, Xue Xiaoyan, Feng Ping, Wang Yaoguo y Wang Tinghui, Física Aplicada. 91, 022111 (2007)
12) Sensibilidad al oxígeno a temperatura ambiente de las nanocintas de ZnS, Liu Yongguo, Feng Ping, Xue Xiaoyan, Shi Shaolin, Fu Xiaoqing, Wang Chunlin, Wang Yongguo, Wang Donghui, Física Aplicada. 90, 042109(2007).
13) Sensor de etanol de alta sensibilidad basado en {100} nanocristales combinados de In2O3. Feng, Xue Xiaoyan, Liu Yugang, Wang Donghui, Física Aplicada. 89, 243514 (2006)
14) Conjuntos de nanocables de óxido de indio dopados con estaño dispuestos verticalmente: crecimiento epitaxial y características de emisión de campo de electrones. 89, 123102,2006
15) Respuesta rápida del oxígeno en nanocables individuales de Ga2O3 mediante irradiación ultravioleta. Wang, Física Aplicada. 89, 112114,2006
16) Emisión de campo extremadamente estable de alz sin matriz de nanocables. 89, 043118,2006
17) Transporte eléctrico a través de un solo nanocables con límites de grano laterales, Física Aplicada. 89, 022115,2006
18) Comentarios en "Metal transparente: dióxido de titanio anatasa dopado con niobio". 88, 226102, 2006
19) Síntesis y propiedades de detección de etanol de nanocables de óxido de estaño dopados con indio, Xue Xiaoyan, Chen Yaojun, Liu Yaoguo, Shi Shaolin, Wang Yaoguo, Wang Donghui, Física Aplicada. 88, 201907, 2006
20) Síntesis in situ de nanocables de In2O3 de diferentes diámetros a partir de películas de indio, Liang Yaoxiang, Li Shaoqing, Nie Liping, Wang Yaoguo, Wang Donghui, Física Aplicada. 88, 193119, 2006
21) Características del transporte de electrones a través de un único nanocables de ZnSnO3, X. Y. Xue, Y. J. Chen, Q. H. Li, C. Wang, Y. G. Wang y T. H. Wang, Applied Physics.
88, 182102,2006
22) Nanocables de In2O3 cultivados a partir de películas de oro/indio sobre vidrio, Li Shaoqing, Liang Yaoxiang, Wang Chunchun, Fu Xiaoqing y Wang Donghui, Física Aplicada. 88, 163111, 2006
23) Nanocable único de Ga2O3 como fotodetector solar ciego, P. Feng, J. Y. Zhang, Q. H. Li y T. H. Wang, Applied Physics. 88, 153107,2006
24) Detección lineal de etanol mediante nanobarras de dióxido de estaño con sensibilidad extremadamente alta, Yujun Chen, Lijun Nie, Xiaoyan Xue, Yuguo Wang y Donghui Wang, Applied Physics. 88, 083105, 2006
25) Características no lineales del diagrama de Fowler-nord Heim de emisión de campo de nanocables de In2O3 cultivados sobre sustrato de InAs, Li Shaoqing, Liang Yaoxiang y T. H. Wang, Applied Physics. 88,053107, 2006
26) Síntesis y propiedades de detección de etanol de nanobarras de dióxido de estaño monocristalinos, Chen Yaojie, Xue Xiaoyan, Wang Yaoguo y Wang Donghui, Física Aplicada. 87, 233503, 2005
27) Propiedades de detección controladas por contacto de nanoestructuras de ZnO similares a flores, Feng Ping, Wan Qinglin y Wang Donghui, Física Aplicada. 87, 213111, 2005
28) Crecimiento vertical orientado al campo eléctrico y características de emisión de campo de nanocables in2o 3, Li Shaoqing, Liang Yaoxiang y Wang Tinghui, Física Aplicada. 87,143104, 2005
29) Actividad fotocatalítica mejorada de nanotetrápodos de ZnO, Q. Wan, T. H. Wang y J. C. Zhao, Applied Physics. 87,083105, 2005
30) Comportamiento electrorreológico anormal de nanocables de ZnO, Feng Ping, Wan Qing, Fu Xiaoqing, Wang Donghui, Física Aplicada. 87,033114, 2005
31) Dependencia anormal de la conductancia de la temperatura de un solo nanocables de ZnO dopado con cadmio, Li Qinghong, Wan Qinghong, Wang Yaoguo, Wang Tinghui, Física Aplicada. 86,263101, 2005
32) Síntesis y propiedades de detección de etanol de nanocables ZnS no 3, Xue Xiaoyan, Chen Yaojun, Wang Yaoguo, Wang Donghui, Física Aplicada. 86, 233101, 2005
33) Propiedades optoelectrónicas de una sola nanocinta de CdS, Li Qinghai, Gao, Wang Tinghui, Física Aplicada. 86, 193109, 2005
34) Nanocintas de CdS como fotoconductores, T. Gao, Q. H. Li y T. H. Wang, Applied Physics. 86,173105, 2005
35) Crecimiento in situ de nanocables en puntas de nanotubos de carbono bajo un fuerte campo eléctrico, Wang Yongguo, Li Qinghai, Wang Donghui, Lin Xinwei, Dravid y Zhou Xinxiang, Física Aplicada. 86, 133103, 2005
36) Adsorción y desorción de oxígeno a partir de películas de nanocables de ZnO analizadas mediante mediciones de fotocorriente transitoria, qi-h Li, T. Gao y T. H. Wang, Applied Physics. 86,123117, 2005
37) Características de detección de oxígeno de un solo transistor de nanocables de ZnO, Li Qinghong, Liang Yaoxiang, Wan Qinghong y Wang Donghui, Sociedad de Física Aplicada. 85(26),6389-6391, (2004).
38) Emisión de campo de matrices largas de nanocables de SnO(2), Chen Yongjie, Li Qinghong, Liang Yongxiang, Wang Donghui, Zhao Qingping y Yu Deping Física aplicada. 85,5682-5684, (2004).
39) Bigotes de óxido de indio monocristalinos dopados con estaño: síntesis y caracterización, Wan, Song Zhitai, Feng Shaolin, Wang Tinghui, Física Aplicada. 85(20) 4759-4761, (2004).
40)s Síntesis sonoquímica de heteroestructura de núcleo/cáscara de nanocinta de NO2/nanopartícula de CdS, Gao Tao y Wang Taihong Chemistry. Comunitario. 2004,2558-2559,
41) Nanocintas de dióxido de vanadio metaestable: síntesis hidrotermal, transporte eléctrico y propiedades magnéticas, Li, Wang Taihong, Yu Dapeng, Zhang Xiaodong. Químico.
En él editado por... 43, 5048 – 5052, (2004).
42) Transistores de película delgada fabricados mediante crecimiento in situ de nanocintas de dióxido de estaño sobre electrodos de oro/platino, Li Qinghai, Chen Yaojie , Wan Qing Hui y Tinghui Wang, Física Aplicada. 85, (10), 1805-1807, (2004).
43) Sensor de gas de baja resistencia realizado por nanotubos de carbono de paredes múltiples recubiertos con una fina capa de óxido de estaño, Y. X. Liang, Y. J. Chen y T. H. Wang , Física Aplicada. 85, (4), 666-668(2004).
44) Emisión de campo estable de nanoestructuras de ZnO similares a tetrápodos, Li Qinghai, Wan Qingjun, Chen Yaojun, Wang Donghui, Jia Haibo, Yu Dongping, Física Aplicada. 85, (4), 636-638 (2004).
45) Crecimiento gas-líquido-sólido asistido por catalizador de nanocintas de CdS monocristalinos y sus propiedades luminiscentes, y Wang Taihong, Journal of Physical Chemistry. B 108, 20045-20049 (2004)
46) Transporte de electrones a través de un único nanocables de ZnO, Li Qinghai, Wan Qinglin, Liang Yaoxiang y Wang Tinghui, Física Aplicada. 84, (22), 4556-4558 (2004).
47) Características de preparación y detección de etanol del sensor de gas con nanocables de ZnO, Q. Wan Y. J. Chen, S. D. Luo y T. H. Wang, X. L. He, y J. P. Li, C. L. Lin, Física Aplicada. 84, (18), 3654-3656 (2004)
48) Saturación de corriente en nanotubos de carbono de paredes múltiples bajo voltaje de polarización grande, Física Aplicada. Litro de Física Aplicada. 84, (17), 3379-3381 (2004)
49) Propiedades de absorción de microondas de compuestos de poliéster y nanocables de ZnO Chen Mingsheng, Cao Donghui, Wang Donghui, Wan Qing, Física Aplicada. 84, (17), 3367-33369 (2004)
50) Resistencia al coeficiente de temperatura positivo y propiedades sensibles a la humedad de nanocables de ZnO dopados con Cd, Wan Qinghong, Li Qinghai, Chen Yaojun, Wang Donghui, He Xilin, Gao Guo y Jianping Li, Física Aplicada. 84, (16), 3085-3087 (2004)
51) Características de almacenamiento de hidrógeno a temperatura ambiente de nanocables de ZnO, Wan, Lin Chunlin, Yu Xinbo, Liu Weilin, Física Aplicada. 84, (1), 124-126 (2004)
52) Emisión de electrones de bajo campo de nanoestructuras de ZnO similares a tetrápodos sintetizadas por evaporación rápida, Wan, Yu, Wang Donghui, Lin, Applied Physics. 83, (11), 2253-2255 (2003)
53) Características de los transistores de efecto de campo con puntos cuánticos InAs apilados, Wang Tinghui, Li Hongwei y Zhou Junming, Applied Physics. 82, (18), 3092-3094, (2003)
54) Síntesis y propiedades ópticas de nanocristales semiconductores β-fesi 2, Wan Qing, Wang Tinghui, Lin Chunlin, Física Aplicada. 82, (19) 3224-3226, 2003
55) Propiedades estructurales y eléctricas de nanoclusters de Ge incrustados en dieléctrico de puerta Al2O3, Wan, C. L. Lin, W. L. Liu y T. H. Wang, Física aplicada. 82, (26) 4708-4710, 2003
56) Efecto de memoria y fotoconductividad negativa de nanocristales de Ge incrustados en dieléctrico de puerta ZrO2/Al2O3, Wan Qinglin, Zhang Nailin, Liu Weilin, Lin Chun Lin y Donghui Wang , Física Aplicada. 83, (1) 138-140, 2003
57) Absorción óptica lineal y no lineal de tercer orden de nanoclusters de Ge amorfos incrustados en una matriz de Al2O3 sintetizada mediante el método de coevaporación por haz de electrones, Wan, Lin Chunlin, Zhang Nailin, Liu Wenlin, Yang Guoliang y Wang Donghui, Applied Physics, Volumen 82, 19, (2003) 3162-3164
58) Cono de germanio de área grande para síntesis de matrices de emisión de campos de electrones, Wan, Wang Tinghui , Feng Tinghui, Liu Xinhai, Lin Chunlin, Física Aplicada.
81, (17), 3281-3283, (2002).
59) Túnel de resonancia de nanocristales de Si incrustados en una matriz de Al2O3 sintetizada por coevaporación con haz de electrones en vacío, Wan, Wang Donghui, Zhu, Lin Chunlin , Física Aplicada. 81, (3), 538-540, (2002).
60) Transistor de un solo electrón con canal de contacto puntual, Wang Tinghui, Li Hongwei, Zhou Jianmin, Nanotechnology 2002, 13, 221.
61) Diseño de gases de electrones bidimensionales en heteroestructuras GaAs/InGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs dopado con d y AlGaAs/InGaAs/GaAs para aplicaciones de transistores de un solo electrón. Fu Tianhai, Wang Tianhai y M. Weiland, Journal of Applied Physics, 89(3), 1759-1763, (2001).
62) Formar puntos cuánticos y controlar la carga de los puntos cuánticos a través de trincheras grabadas y múltiples puertas, Fu Yaoming, M.Willander, Wang Donghui, Journal of Applied Physics, 74 (2002) 741-745 p>
63) Nanocristales de silicio en matriz de Al2O3 coevaporada con haz de electrones de alto vacío, Wan Qinglin, Zhang Nanlin, Xie Xinyou, Wang Donghui, Lin Chunlin, Applied Surfaces. Ciencia. 191(2002)171-175
64) Efecto de carga en puntos cuánticos autoensamblados de InAs, Wang Tinghui, Li Hongwei, Zhou Junming, Física Aplicada. 79, (10), 1537-1539, (2001)
65) Análisis de desajustes y composición química de matrices de puntos cuánticos verticales de InGaAs mediante microscopía electrónica de transmisión. Zhang, Jun Zhu, Xiaowei Ren, Haiwei Li, Donghui Wang, Física Aplicada. 78(24), 3830, (2001)
66) Grabe zanjas para crear eficientemente cables cuánticos para aplicaciones de transistores de un solo electrón. 78(23), 3705, (2001).
67) Transistor de un solo electrón de Si con puerta metálica de contacto puntual en el plano. Wang Donghui, Li Haiwei, Zhou Junming, Sociedad de Física Aplicada. 78(15),2160, (2001).
68) Carga de un solo electrón en estructura de puntos paralelos, Física Aplicada. 78(5) 634(2001).
69) Gran no linealidad óptica de tercer orden de películas compuestas de nanotubos de carbono y titanato de bario, Lu Guowei, Cheng Bolin, Shen Hong, Chen, Wang Taihong, Jin Kuijuan, Chemical Physics Communications, 407 (2005) 397-401
70) Síntesis controlada a gran escala de nanotubos de sílice utilizando nanocables de óxido de zinc como plantillas Chen, Xue Xinyu, Wang Taihong, Nanotechnology 16 (2005) 1978-1982
71) Nanocables de dióxido de estaño dopados con antimonio monocristalino: aplicaciones de síntesis y sensores de gas, Wan, Wang Chemistry. Comunitario. 2005, 3841-3843
72) Crecimiento en fase de vapor de conjuntos de unión de nanobarras y nanocintas de ZnO, y Wang Taihong, Journal of Nanoscience. nanotecnología. 2005,5(7)1120-1124
73) Mecanismo de crecimiento, caracterización y crecimiento sin sustrato de matrices desempaquetadas de nanovarillas de ZnO, Zhao Yang, Yu Hongchun, Zou Binsuo, Wang Yanguo, Wang Donghui, Nano Technology 19 (2008) 035704
74) Emisión de campo de umbral bajo de matrices de nanobarras de ZnO cultivadas en películas de ZnO a baja temperatura, Li Limin, Du Zhenfeng, Li Chunchun, Zhang Jun, Wang Donghui, Nanotechnology 18 (2007) ) 355606
75) Características de fotocorriente de un solo nanocable znga 2 o 4, Feng Ping, Zhang Jiyong, Wan Qing y Wang Donghui, Acta Physica Sinica 102, 074309, 2007 Patente No.
Tipo de patente Fecha de solicitud Fecha de concesión Nombre de la patente Certificado de inventor Patente de invención
2004-12-24
2007-10-3 Aplicaciones biológicas de los nanotubos de carbono Yan, Patente de invención de Gao Lizeng, Wang Taihong y Nie Leng1.
03136606.6 2003-5-19
El 23 de agosto de 2006, Fu, Jiangnan y Wang Taihong patentaron un proceso de producción de plantillas de alúmina nanoporosa.
03131082.6 2003-5-14
2006-4-12 Li y Wang Taihong obtuvieron la patente 1 para un método para mejorar las propiedades eléctricas de los nanomateriales.
03136105.6 2003-5-14
2006-8-9 Li y Wang Taihong obtuvieron la patente 1 para un método de preparación de nanotransistores de alto rendimiento.
02149405.3 2003-2-14
2006-9-13 Sun Jinpeng y Wang Taihong obtuvieron la patente 1 para la memoria de tres valores de un solo electrón diseñada según el principio de bloqueo de Coulomb y su método de preparación.
02149483.5 2002-11-21 Memoria de un solo electrón con múltiples estados de almacenamiento estable y su método de fabricación Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención.
02131272.9 2002-9-24
2006-1-11 Memoria de un solo electrón diseñada utilizando transistores verticales de nanotubos de carbono y su método de fabricación Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención.
02131274.5 2002-9-24
28 de junio de 2006 Memoria de un solo electrón hecha de transistores de nanotubos de carbono con estructuras verticales en ambos extremos y su método de fabricación Sun Jinpeng y Wang Taihong obtuvieron 1 invento patentar.
02125967.4 2002-8-7
2005-11-23 Memoria de un solo electrón diseñada según el principio de bloqueo de Coulomb y su método de preparación Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención.
02125880.5 2002-8-1 Memoria monoelectrónica basada en transistor monoelectrónico de nanotubos de carbono y su método de fabricación Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 02123969. x 2002-7-11.
2006-6-28 Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención para la memoria de un solo electrón que funciona a temperatura ambiente y su método de preparación.
02123970.3 2002-7-11
26 de abril de 2006 Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención para una memoria de un solo electrón altamente integrada y su método de preparación.
02123661.5 2002-7-8
2006-3-29 Medio sumador de nanotubos de carbono y su proceso de preparación Zhao Jigang y Wang Taihong 1 patente de invención.
02123860.X 5 de julio de 2002
2006-1-11 Tubo de efecto de campo integrado de nanotubos de carbono y su proceso de preparación Zhao Jigang y Wang Taihong 1 patente de invención.
02123862.6 2002-7-5
2006-3-29 Dispositivo lógico OR de puerta de nanotubos de carbono y su método de preparación Zhao Jigang y Wang Taihong 1 patente de invención.
02123863.4 2002-7-5
2006-1-11 Patente de invención del dispositivo de compuerta NO lógica de nanotubos de carbono de Zhao Jigang y Wang Taihong.
02123864.2 2002-7-5
2006-4-19 Zhao Jigang y Wang Taihong obtuvieron 1 patente de invención para una memoria de acceso aleatorio hecha de nanotubos de carbono y su método de preparación.
02123865.0 2002-7-5
28 de junio de 2006 Zhao Jigang y Wang Taihong 1 patente de invención para un dispositivo lógico de puerta AND con estructura de nanotubos de carbono de pared simple y su método de fabricación.
02123861.8 2002-7-5
2006-1-11 Dispositivo lógico "OR" de nanotubos de carbono Zhao Jigang y Wang Taihong 1 patente de invención.
02123459.0 2002-6-28
2005-7-6 Dispositivo de punto cuántico compuesto y su método de preparación Zhu Jun y Wang Taihong 1 patente de invención.
02123464.7 2002-6-28
El 6 de julio de 2005, Zhu Jun y Wang Taihong inventaron el método de medición eléctrica de tres terminales de los dispositivos de puntos cuánticos.
02120849.2 2002-6-5
2006-08-16 Sun Jinpeng y Wang Taihong obtienen una patente para una memoria de acceso aleatorio no volátil diseñada con nanotubos de carbono y su método de preparación 1 .
02120847.6 2002-6-5
2006-4-19 Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 patente de invención para memoria de un solo electrón con estructura de nanotubos de carbono y su método de preparación.
02120848.4 2002-6-5
El 28 de junio de 2006, Sun Jinpeng y Wang Taihong obtuvieron una patente de invención para una memoria de un solo electrón hecha de nanotubos de carbono y su método de preparación.
02120850.6 2002-6-5
El 28 de junio de 2006, Sun Jinpeng y Wang Taihong obtuvieron una patente de invención para una memoria de un solo electrón hecha de nanotubos de carbono y su método de preparación.
01101944.1 2001-1-18
2004-10-6 Wang Taihong 1 patente de invención para un medidor de coulomb ultrasensible a la carga y su método de preparación.
01101945.
01100835.0 2001-1-15
2004-8-4 Transistor de un solo electrón de puerta plana de contacto puntual y su método de preparación (1) Patente de invención de Wang Taihong 1.
01100834.2 2001-1-15
2004-8-4 Transistor de un solo electrón de puerta plana de contacto puntual y su método de preparación (2) Patente de invención 1 de Wang Taihong.
00133517.0 2000-11-9
2004-7-28 Wang Taihong 1 patente de invención para un transistor de un solo electrón y su método de preparación.
Modelo de utilidad
Número de patente
Tipo de patente Fecha de solicitud Fecha de concesión Nombre de la patente Certificado de inventor Modelo de utilidad
01200510.X2001-1 - 15
Transistor de un solo electrón
02285490.82003-2-14
Marzo de 2004-10 Memoria de un solo electrón y tres valores Modelo de utilidad de Sun Jinpeng y Wang Taihong 1
02289264.82002-11-22
2003-08-13 Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 modelo de utilidad de memoria de un solo electrón de valores múltiples que utiliza un transistor de un solo electrón con estructura de unión de múltiples túneles .
02257077.22002-9-24
El 3 de septiembre de 2003, Sun Jinpeng y Wang Taihong 1, una memoria de un solo electrón altamente integrada diseñada utilizando transistores de nanotubos de carbono, fueron designados como modelos de utilidad. .
02257080.22002-9-24
El 24 de septiembre de 2003, Sun Jinpeng y Wang Taihong diseñaron un modelo de utilidad de memoria de un solo electrón utilizando un transistor de nanotubos de carbono con una estructura vertical en ambos extremos. .
02244310.
02244235.92002-8-1
20 de agosto de 2003 Sun Jinpeng y Wang Taihong 1 Modelo de utilidad de memoria de un solo electrón basado en el diseño de un transistor de un solo electrón con nanotubos de carbono.
02240127. 11
2003-8-13 Un modelo de utilidad de objetivo de pulverización catódica con magnetrón plano.
02240126.12002-7-11
2003-8-13 Sun Jinpeng, Wang Taihong 1 Modelo de utilidad altamente integrado que puede funcionar a temperatura ambiente.
02239614.42002-7-5
Nanotubo de carbono o dispositivo lógico de puerta Zhao Jigang Wang Taihong 1 modelo de utilidad
02239615.22002-7-5
2003-6-18 Transistor de efecto de campo integrado de nanotubos de carbono Zhao Jigang y Wang Taihong 1 modelo de utilidad
02239613.62002-7-5
2003-8-13 Zhao Jigang y Wang Taihong tienen una estructura de nanotubos de carbono 1 Modelo de utilidad
02239612.82002-7-5
Nanotubo de carbono de pared simple Y dispositivo lógico de puerta
02238032.92002-6-28
2003 -4-23 Zhu Jun, Wang Taihong, dispositivo de puntos cuánticos de estructura compuesta, 1 modelo de utilidad.
02237210.52002-6-5
23 de abril de 2003 y Wang Taihong 1 memoria de acceso aleatorio no volátil con estructura de nanotubos de carbono.
02237211.32002-6-5
2003-05-21 Memoria monoelectrónica con estructura de nanotubos de carbono Modelo de utilidad de Sun Jinpeng y Wang Taihong 1.
01201857.02001-1-18
2001-11-28 Medidor de culombio ultrasensible Wang Taihong 1 modelo de utilidad
01201858.92001-1-18
2001-11-28 Contador de coulomb altamente sensible Wang Taihong 1 modelo de utilidad con función de autocalibración
01200511.82001-1-15
2002-6-19 Wang Taihong, a Plano de contacto puntual Transistor de puerta de un solo electrón, 1 modelo de utilidad.
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