¿Qué tipo de chip es mejor para las lámparas LED de bajo voltaje? Hay varios tipos de patatas fritas. ¿Cuáles son las características de los chips buenos y malos? Son muy populares.
Definición: chip MB: chip de unión de metal; este chip es un producto patentado de UEC.
Características: 1. Utiliza material de alto coeficiente de disipación de calor: Si como sustrato, fácil de disipar el calor.
Conductividad térmica
GaAs: 46 W/m-K
Gap: 77 W/m-K
Silicio: 125 ~ 150 W /m-K
Cobre: 300~400 W/m-g
Carburo de silicio: 490 W/m-g
2. La oblea se une a través de la capa metálica Combina la capa epitaxial. y el sustrato, al tiempo que refleja fotones para evitar la absorción por parte del sustrato.
3. El sustrato de silicio conductor reemplaza al sustrato de GaAs y tiene buena conductividad térmica (la diferencia en la conductividad térmica es de 3 a 4 veces) y es más adecuado para campos de alta corriente de accionamiento. 4. La capa reflectante de metal en la parte inferior es útil para mejorar la luminosidad y la disipación del calor.
5. El tamaño se puede aumentar y se puede utilizar en campos de alta potencia, como: 42 mil MB.
Chip GB
Definición: Chip estándar nacional: chip adhesivo; este chip es un producto patentado de UEC.
Características: 1: El sustrato de zafiro transparente reemplaza el sustrato de GaAs que absorbe la luz, y la potencia de salida de luz es más del doble que la del chip tradicional de As (estructura absorbible). El sustrato de zafiro es similar al sustrato GaP del chip TS.
2: El chip emite luz por todos lados y tiene patrones excelentes.
Chip de diodo emisor de luz
3: en términos de brillo, su brillo general ha superado el nivel de los chips ts (8,6 mil).
4: Estructura de doble electrodo, su capacidad para soportar grandes corrientes es ligeramente peor que la claridad y las características del chip TS de un solo electrodo.
Definición: TS chip: chip de estructura transparente, producto patentado de HP.
Características: 1. El proceso del chip es complejo y mucho más complicado que el de fabricar LED.
2. Excelente confiabilidad
3. Sustrato GaP transparente, sin absorción de luz, alto brillo.
4. Ampliamente utilizado
Definición: chip AS: chip de estructura absorbible después de casi 40 años de esfuerzos de desarrollo, la investigación y el desarrollo de la industria optoelectrónica LED de Taiwán, la producción y la producción de este tipo. de chips Las ventas se encuentran todas en una etapa madura y están básicamente al mismo nivel que las principales empresas de I + D en este sentido, con poca diferencia. La industria de fabricación de chips de China continental comenzó tarde y todavía existe una cierta brecha entre brillo y confiabilidad en comparación con la industria de Taiwán. Lo que estamos discutiendo aquí es. Como chips UEC, especialmente chips UEC, como: 712Sol-VR, 709sol-VR, 712Sym-VR, 709sym-VR, etc.
Características: 1. Cuatro chips, fabricados con tecnología MOVPE, son más brillantes que los chips tradicionales.
2. Excelente confiabilidad
3. Tipos de chips de diodos ampliamente utilizados
1, LPE: epitaxia en fase líquida (GaP/ GaP)
2.VPE: Epitaxia en fase vapor (epitaxia en fase gaseosa) GaAsP/GaAs.
3.MOVPE: Epitaxia metal-orgánica en fase vapor (epitaxia metal-orgánica en fase gaseosa) AlGaInP, GaN.
4.SH: GaAlAs/GaAs heteroestructura simple (heteroestructura simple) GaAlAs/GaAs.
5.DH: Doble heteroestructura GaAlAs/GaAs, (doble heteroestructura) GaAlAs/GaAs.
6.DDH: gaalas/gaalas doble heteroestructura, (doble heteroestructura)
4 parámetros importantes
1, corriente operativa positiva If
Se refiere al valor de corriente directa del diodo emisor de luz cuando emite luz normalmente. En la práctica, el IF debería ser inferior a 0,6 IFm si es necesario.
2. Tensión de funcionamiento directa VF
La tensión de funcionamiento proporcionada en la tabla de parámetros se obtiene bajo una corriente directa determinada. Generalmente medido a IF=20mA. El voltaje de funcionamiento directo del LED VF es de 1,4 ~ 3 V. Cuando la temperatura exterior aumenta, VF disminuirá.
3. Características de voltios-amperios
La relación entre el voltaje y la corriente de un diodo emisor de luz. Cuando el voltaje de CC está justo por debajo de cierto valor (llamado umbral), la corriente es muy pequeña y no se emite luz. Cuando el voltaje excede un cierto valor, la corriente directa aumenta rápidamente con el voltaje y emite luz.
4. Intensidad luminosa IV
La intensidad luminosa de un diodo emisor de luz suele referirse a la intensidad luminosa en la dirección de la normal (el eje del tubo emisor de luz cilíndrico) ). Si la intensidad de la radiación en esta dirección es (1/683) W/sr, se emite 1 candela (símbolo cd). Debido a que la intensidad de los diodos emisores de luz de los LED generales es pequeña, generalmente se usa luz de velas (Candeira, mcd) para medir la intensidad luminosa.
5. Ángulo luminoso del LED
-90 - +90
6. Medio ancho espectral δ λ
Representa el Espectral. pureza.
7. Ángulo de valor medio θ1/2 y ángulo de visión
θ1/2 se refiere al ángulo entre la dirección en la que el valor de intensidad luminosa es la mitad del valor de intensidad axial y el Eje óptico (dirección normal).
8. Forma completa
El ángulo convertido a partir del ángulo sólido de la lámpara LED también se llama ángulo plano.
9. Ángulo de visión
Se refiere al ángulo máximo en el que el LED emite luz. Los diferentes ángulos de visión tienen diferentes aplicaciones, también llamados ángulos de intensidad de la luz.
10, hemisferio
El ángulo entre el 0 normal y el valor máximo de intensidad luminosa/2. En rigor, es el ángulo entre el valor máximo de intensidad luminosa y el valor máximo de intensidad luminosa/2. La tecnología de embalaje LED hace que el ángulo luminoso máximo sea diferente del valor normal de intensidad luminosa de 0° e introduce un ángulo de desviación. El ángulo de desviación se refiere al ángulo entre el ángulo correspondiente a la intensidad luminosa máxima y los 0° normales.
11. Corriente CC directa máxima IFm
Corriente CC directa máxima permitida. Superar este valor dañará el diodo.
12 Tensión inversa máxima VRm
La tensión inversa máxima permitida es la tensión de ruptura. Si se excede este valor, el LED podría dañarse debido a una avería.
13. Entorno de trabajo arriba
El rango de temperatura ambiente en el que los LED funcionan normalmente. Por debajo o por encima de este rango de temperatura, el LED no funcionará correctamente y la eficiencia se reducirá considerablemente.
14, consumo de energía permitido Pm
El valor máximo del producto del voltaje CC directo a través del LED y la corriente que fluye a través de él. Si se excede este valor, el LED se calentará y se dañará. [3]
5 tamaños de chip
Los chips LED de alta potencia vienen en tres tamaños: 38*38 mil, 40*40 mil y 45*45 mil. Por supuesto, el tamaño del chip se puede personalizar; esta es sólo una especificación general. Una mil es una unidad de tamaño que es una milésima de pulgada. 40 mil es casi 1 mm, 38 mil, 40 mil y 45 mil son tamaños comúnmente utilizados para chips de alta potencia de 1 W. En teoría, cuanto más grande sea el chip, mayor será la corriente y la potencia que podrá soportar. Sin embargo, el material y el proceso del chip también son los principales factores que afectan la potencia del chip. Por ejemplo, los chips CREE de 40 mil pueden soportar de 1W a 3W, mientras que otros chips del mismo tamaño pueden soportar hasta 2W.
6 Brillo luminoso
Brillo general: R (rojo GaAsP 655 nm), H (rojo alto GaP 697 nm), G (verde GaP 565 nm), Y (amarillo GaAsP/GaP 585 nm) , E (naranja GaAsP/ GaP 635 nm), etc.
Alto brillo: VG (verde brillante GaP 565 nm), VY (amarillo brillante GaAsP/GaP 585 nm), SR (rojo brillante GaA/AS 660 nm);
Brillo súper alto: UG, UY, UR, UYS, URF, UE, etc.
Chips binarios (fósforo, galio): H, G, etc.
Chips ternarios (fósforo, galio, arsénico): SR (rojo brillante GaA/AS 660nm), HR (rojo súper brillante GaAlAs 660nm), UR (rojo brillante GaAlAs 660nm), etc.
Cuádruple chip (fósforo, aluminio, galio, indio): SRF (alga roja brillante InP), HRF (alga roja súper brillante InP), URF (AlGalnP rojo brillante 630 nm), VY (GaAsP/amarillo brillante) GaP 585 nm), HY (alga amarilla ultrabrillante InP 595 nm), UY (alga amarilla más brillante InP 595 nm). LED UYS (AlGalnP amarillo más brillante 587 nm), UE (alga naranja más brillante InP 620 nm), HE (alga naranja súper brillante InP 620 nm), UG (alga verde más brillante InP 574 nm), etc.
7 Sustrato
Para la fabricación de chips LED, la elección del material del sustrato es la consideración principal. El sustrato adecuado que se debe utilizar debe seleccionarse de acuerdo con los requisitos del equipo y los dispositivos LED. Tres materiales de sustrato: zafiro (Al2O3), silicio (Si) y carburo de silicio (SiC).
Ventajas del zafiro: 1. La tecnología de producción es madura y la calidad del dispositivo es buena; 2. Tiene buena estabilidad y puede usarse en procesos de crecimiento a alta temperatura. 3. Tiene alta resistencia mecánica y es fácil de manejar y limpiar;
Desventajas del zafiro: 1. El desajuste de la red y el desajuste de la tensión térmica producirán una gran cantidad de defectos en la capa epitaxial; 2. El zafiro es un aislante y se fabrican dos electrodos en la superficie superior, lo que reduce el área efectiva de emisión de luz; 3. Aumento de la fotolitografía y el grabado; procesos, costos de fabricación altos.
El silicio es un buen conductor del calor y puede mejorar significativamente la conductividad térmica del dispositivo, extendiendo así la vida útil del dispositivo.
En los chips LED con sustratos de carburo de silicio (la empresa CREE se especializa en utilizar materiales SiC como sustratos), los electrodos tienen forma de L y la corriente fluye longitudinalmente. Los dispositivos fabricados con este sustrato tienen muy buena conductividad eléctrica y térmica, lo que resulta beneficioso para la producción de dispositivos de gran superficie y alta potencia. Ventajas: La conductividad térmica del carburo de silicio es de 490 W/m·k, que es más de 10 veces mayor que la del sustrato de zafiro. Desventajas: los costos de fabricación del carburo de silicio son altos y es necesario reducir los costos correspondientes para lograr la comercialización.
Función 8led
(1) El chip cuádruple se fabrica mediante el proceso MOVPE y es más brillante que los chips convencionales.
(2) Excelente confiabilidad.
(3) Ampliamente utilizado.
(4) Alta seguridad.
(5) Larga vida útil.
9 Cómo juzgar
Precio del chip LED: Generalmente, el precio de los chips es más alto que el de las obleas. Los chips LED de alta potencia son definitivamente más altos que los chips LED de baja potencia. y los importados son más altos que los nacionales. Los precios de fuentes importadas del Japón, los Estados Unidos y la provincia de Taiwán cayeron en secuencia.
Calidad de los chips LED: la calidad de los chips LED se mide principalmente mediante los dos estándares principales de brillo y atenuación del cristal desnudo, y se calcula principalmente mediante la tasa de rendimiento del embalaje de chips LED durante el proceso de embalaje.
10 uso diario
Luz roja: 9 mil cuadrados, longitud de onda (rojo puro): 620-625 nm, 60 arriba y abajo, 120 izquierda y derecha, brillo hasta 1000-1200 MCD ;
Luz verde: 12 mil cuadrados, longitud de onda (verde puro): 520-525 nm, 60 arriba y abajo, 120 izquierda y derecha, brillo hasta 2000-3000 MCD;;
Rendimiento: alto brillo, capacidad antiestática. Tiene una fuerte capacidad antiatenuación y buena consistencia, lo que la convierte en la mejor opción para fabricar letreros LED y caracteres luminosos LED.
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16 Introducción del fabricante
Fabricante de chips LED en Taiwán
Epistar (abreviatura:ES , (Lianquan, Yuan Kun, Yonglian, Guolian), Huga, Genesis Photon y Arima Optoelectronics (abreviaturas: AOC, Tekcore, Qili, Juxin, Hongguang, Jingfa).
Optoelectronics (ED) y Tyntek se conocen como TK, Yaofuzhou Technology TC, Formosa Plastics Epitaxy, Guo Tong, Li Anding, Quanxin Optoelectronics (VPEC), etc.
Huaxing (Ledtech Electronics), Dongbei (Unity ) Opto Technology), Para Optoelectronics, Everlight Electronics, Baihong (Bright LED Electronics), Kingbright, Lingsen Precision Industries, Lite-On Technology, HARVATEK et al.
Fabricantes nacionales de chips LED
Sanan Optoelectronics (S), Shanghai Epilight (E), Shilan Mingxin (SL), Dalian Lumei (LM), Yuandi Optoelectronics, Huacan Optoelectronics, Nanchang Xinlei , Shanghai Jinqiao Dachen, Hebei Lide, Hebei Huineng, Shenzhen Orunde, Shenzhen Century Jingyuan, Guangzhou Puguang, Yangzhou Huaxia Integrated, Gansu Xintiandian Company.
Fabricantes internacionales de chips LED
CREE, HP, Nichia, Toyoda Gosei, Ocean Ristic Acid, Toshiba, Showa Electric (SDK), Lumileds, Smileds, Genelite, Osram, GeLcore, Seúl Semiconductor, Puri y Epivalley de Corea del Sur.
17 dispositivo antirrobo
Modelo
Datos de referencia
1. Precauciones del chip LED. . mazorca [fecha de consulta el 21 de mayo de 2013].
2. Clasificación de chips LED. Luces LED [fecha de consulta 28 de abril de 2013].
3. Análisis de parámetros importantes y dos estructuras de chips LED. Red de aplicaciones de dispositivos semiconductores [Fecha de cita: 10 de julio de 2013].
4. Pruebas de clasificación de chips y dispositivos LED. Big Bit Business Network [fecha de consulta el 3 de mayo de 2013].
5. Análisis de problemas habituales en el uso de chips LED. Big Bit Business Network [fecha de consulta el 24 de mayo de 2013].
Precio del chip LED: Generalmente, el precio de los chips es más alto que el de las obleas. Los chips LED de alta potencia son definitivamente más altos que los chips LED de baja potencia, y los importados son más altos que los nacionales. Los precios de origen importados de Japón, Estados Unidos y la provincia de Taiwán cayeron en secuencia.
Calidad de los chips LED: la calidad de los chips LED se mide principalmente mediante los dos estándares principales de brillo y atenuación del cristal desnudo, y se calcula principalmente mediante la tasa de rendimiento del embalaje de chips LED durante el proceso de embalaje.