Resultados de la investigación científica de Cai Yong

Siendo los primeros en descubrir el fenómeno de modulación del gas de electrones bidimensional de heterounión AlGaN/GaN por iones de flúor, y en presentar una explicación física basada en este nuevo descubrimiento, desarrollamos con éxito AlGaN mejorado de alto rendimiento; /GaN HEMT. Desarrolló una nueva tecnología de integración monolítica basada en GaN y desarrolló un circuito DCFL basado en GaN que puede funcionar normalmente a una temperatura alta de 375 °C. Inventó una nueva tecnología que utiliza pulido mecánico químico (CMP) para realizar LED GaN de alta potencia de estructura vertical. Ha publicado más de 30 artículos académicos en revistas y conferencias profesionales en el país y en el extranjero, solicitó seis patentes estadounidenses, dos de las cuales se encuentran en el período de anuncio, y solicitó dos patentes chinas.