¿Qué tipo de empresa es Troika Logistics?
Troika Logistics Co., Ltd. es una empresa diversificada que integra transporte de línea dedicada, gestión de almacenamiento, servicios de información y distribución de carga.
Basándonos en la base de almacenamiento y transporte del Centro Logístico de Guangzhou, nuestra empresa ha establecido un departamento de distribución local y un departamento de transporte externo, y coopera con grandes empresas de logística en las principales ciudades de todo el país para establecer la más alta -terminar la red de información logística del país. Brindar a los clientes servicios integrales de subcontratación de logística, incluida la gestión de almacenamiento, transporte troncal, transporte intrarregional de corta distancia y distribución local.
El moderno sistema de gestión de almacenes y el equipo de logística profesional son la garantía más poderosa para su transporte de carga. Con integridad, eficiencia y profesionalismo, el sistema de posicionamiento global GPS asociado rastrea los vehículos de transporte las 24 horas del día y la información de las mercancías en tránsito está al alcance de la mano, liderando el proceso de informatización de la industria logística.
Con el concepto de servicio de "integridad, moralidad y carga", brindamos a los clientes la información logística más precisa y servicios de transporte profesionales.
Esfuércese por convertirnos en la empresa de logística más confiable de China, ¡siempre estamos avanzando!
Troika: "¡El sol y la luna viajan juntos, y el honor los lleva hasta el final!""
上篇: ¿Qué es la memoria ram? 1. RAM (Memoria de acceso aleatorio) La característica de la RAM es que cuando se enciende la computadora, todos los datos y programas en ejecución del sistema operativo y las aplicaciones se colocarán en ella, y los datos se almacenarán. en él se pueden modificar y acceder a los datos en cualquier momento. Su funcionamiento requiere un suministro continuo de electricidad. Una vez que se apaga el sistema, todos los datos y programas almacenados en él se borrarán automáticamente y nunca podrán recuperarse. Según los diferentes componentes, la memoria RAM se puede dividir en los siguientes dieciocho tipos: 01. DRAM (Memoria dinámica de acceso aleatorio): este es el tipo más común de RAM, donde un tubo y un condensador forman una unidad de almacenamiento de bits. La DRAM almacena cada bit de memoria como una carga en una celda de almacenamiento de bits, y almacena esta carga cargando y descargando un condensador. Pero el condensador en sí tiene problemas de fugas, por lo que, de lo contrario, debe actualizarse cada pocos microsegundos. El tiempo de acceso es consistente con el tiempo de descarga, alrededor de 2 ~ 4 ms. Debido a su bajo costo, generalmente se usa como memoria principal en las computadoras. 02.SRAM (RAM estática) es estática, lo que significa que los datos de la memoria pueden permanecer allí durante mucho tiempo sin necesidad de acceder a ellos en ningún momento. Cada seis tubos forman una unidad de almacenamiento de bits. Debido a que no hay condensador, puede funcionar normalmente sin una carga constante. Por lo tanto, puede ser más rápida y estable que la memoria de procesamiento aleatorio dinámico normal y, a menudo, se utiliza como caché. 3. VRAM (RAM de video) Su función principal es enviar los datos de video de la tarjeta gráfica al convertidor digital a analógico, reduciendo efectivamente la carga de trabajo del chip de visualización de gráficos. Está diseñado con dos puertos de datos, uno de los cuales es un puerto de salida de datos paralelo y el otro es un puerto de salida de datos en serie. Se utiliza principalmente para memoria de alta gama en tarjetas gráficas avanzadas. 04. La versión mejorada de FPM DRAM (DRAM en modo de página rápida) es principalmente un módulo de 72 o 30 pines. Al acceder a un bit de datos, la DRAM tradicional debe enviar la dirección de fila y la dirección de columna una vez para leer y escribir los datos. Sin embargo, después de que la FRM DRAM activa la dirección de fila, si la dirección solicitada por la CPU está en la misma fila, la dirección de columna se puede generar continuamente sin generar la dirección de fila. Debido a que generalmente las direcciones de los programas y los datos se organizan continuamente en la memoria, en este caso, los datos requeridos se pueden obtener generando continuamente la dirección de fila y la dirección de columna. FPM divide la memoria en muchas páginas, desde 512 B hasta varios KB. Al leer datos en un área continua, los datos de cada página se pueden leer directamente a través del modo de cambio rápido de página, lo que mejora enormemente la velocidad de lectura. Antes de 1996, en la era 486 y principios de la era Pentium, la DRAM FPM se utilizaba ampliamente. 05.EDO DRAM (DRAM de salida de datos extendida) Esta es una memoria que apareció después de FPM. Suele ser un módulo de 72 o 168 pines. No es necesario generar la dirección de fila y la dirección de columna durante un período de tiempo al acceder a cada bit de datos como FPM DRAM, y luego los datos válidos se pueden leer y escribir. La dirección del siguiente bit no se puede generar hasta que se lea. y se completa la operación de escritura. Por lo tanto, el tiempo de espera para la dirección de salida se puede acortar considerablemente y su velocidad de acceso es generalmente aproximadamente un 15% más rápida que en el modo FPM. Generalmente adecuado para memoria estándar de placas base Pentium por debajo de la gama media. Más tarde, el sistema 486 comenzó a admitir Edo DRAM y Edo DRAM comenzó a implementarse a fines de 1996. . 06.bedo DRAM (DRAM de salida de datos extendida con ráfaga) Esta es una DRAM edo mejorada propuesta por Micron. Agrega un contador de direcciones al chip para realizar un seguimiento de la siguiente dirección. Es un modo de lectura en ráfaga, es decir, cuando se envía una dirección de datos, solo se necesita un ciclo para leer cada uno de los tres datos restantes, por lo que se puede acceder a varios conjuntos de datos a la vez, lo cual es más rápido que EDO DRAM. Sin embargo, hay muy pocas placas base que admitan la memoria BEDO DRAM, y solo unas pocas placas base brindan soporte (como a través de APOLLO VP2), por lo que fue rápidamente reemplazada por DRAM. 07. MDRAM (DRAM multibanco, memoria dinámica de acceso aleatorio de múltiples ranuras) es una especificación de memoria propuesta por MoSys. Se divide en varios bancos pequeños de diferentes categorías, es decir, se compone de varias matrices de unidades pequeñas subordinadas. Cada banco de memoria está conectado entre sí a una velocidad de datos más alta que el exterior. Generalmente se usa para tarjetas de visualización de alta velocidad o tarjetas aceleradoras, y algunas placas base se usan para caché L2. 08. El modo de memoria WRAM (Window RAM) desarrollado por Samsung de Corea del Sur es una versión mejorada de la memoria VRAM. La diferencia es que su circuito de control tiene uno o veinte conjuntos de controladores de entrada/salida y utiliza el método de acceso a datos EDO, por lo que es más rápido. Además, proporciona la función de cambio de bloque (BitBlt), que se puede aplicar al trabajo de dibujo profesional. 09. RDRAM (Rambus DRAM, memoria dinámica de acceso aleatorio de alta frecuencia) es un modo de almacenamiento diseñado independientemente por Rambus Company. La velocidad generalmente puede alcanzar 500 ~ 530 MB/s, que es más de 10 veces mayor que la de DRAM. El controlador de memoria necesita realizar cambios considerables después de utilizar este tipo de memoria, por lo que generalmente se utiliza en tarjetas adaptadoras de aceleración de gráficos profesionales o en la memoria de vídeo de las consolas de videojuegos. 10.SDRAM (Memoria dinámica de acceso aleatorio síncrona) Este es un modo de memoria que se puede sincronizar con el reloj externo de la CPU. 下篇: ¿Cuál es el diámetro de una vaca de siete años?