Puntero doble patentado
La capacidad de una tarjeta de memoria se puede confirmar observando el modelo de las partículas de memoria.
A continuación se utilizan las reglas de codificación de partículas de memoria de varios fabricantes importantes como ejemplo para ilustrar el método de identificación de la capacidad de la memoria.
Partículas de memoria de Samsung
Actualmente, muchos fabricantes utilizan las partículas de memoria de Samsung para producir chips de memoria y tienen una alta cuota de mercado. Debido a su amplia línea de productos, las reglas de denominación de Samsung para las partículas de memoria son muy complicadas. Los modelos de chips de memoria Samsung reciben su nombre mediante un código de 16 dígitos. Entre ellos, los usuarios están más preocupados por identificar la capacidad de la memoria y la velocidad de trabajo, por lo que nos centramos en el significado de estas dos partes.
Reglas de codificación: K4XXXXXXXXX-XXXXX
Significado principal:
La función K del bit de 1 chip representa el chip de memoria.
Dígito 2: el tipo de chip 4 representa la DRAM.
El tercer dígito: descripción adicional del tipo de chip, S representa SDRAM, H representa DDR y G representa SGRAM.
El cuarto y quinto dígitos: capacidad y frecuencia de actualización. La misma cantidad de memoria utilizará diferentes frecuencias de actualización y diferentes números. 64, 62, 63, 65, 66, 67 y 6A representan una capacidad de 64 Mbit; 28, 27 y 2A representan una capacidad de 128 Mbit; 56, 55, 57 y 5A representan una capacidad de 256 Mbit;
Los dígitos 6 y 7: el número de pines de línea de datos, 08 representa datos de 8 bits; 32 representa datos de 32 bits;
Bit 11-conectar "-".
Bit 14 y 15: la velocidad del chip, por ejemplo, 60 es 6 ns, 70 es 7 ns, 7B es 7,5 ns (cl = 3); 80 es 8 ns, 10 es 10 ns (66 MHz).
Conociendo el significado de los principales números codificados en las partículas de memoria, es muy fácil calcular la capacidad de la tarjeta de memoria una vez obtenida. Por ejemplo, una memoria DDR de Samsung está empaquetada con 18 partículas Samsung K4H280838B-TCB0. Los dígitos 4 y 5 "28" del número de bloque indican que el bloque es de 128 Mbits, y los dígitos 6 y 7 "08" indican que el bloque tiene un ancho de banda de datos de 8 bits, por lo que podemos calcular la capacidad del módulo de memoria. Son 128 Mbits (megabytes) × 16 chips /8 bits = 256 MB (megabytes).
Nota: "bit" es "dígito", "b" es byte "byte", si un byte tiene 8 bits, divídalo entre 8. Con respecto al cálculo de la capacidad de la memoria, hay dos situaciones en los ejemplos dados en este artículo: una es memoria no ECC, y cada ocho partículas con un ancho de datos de 8 bits puede formar una memoria, la otra es memoria ECC, que agrega una; después de cada código de verificación ECC de 64 bits. A través de la suma de comprobación se pueden detectar dos errores en los datos de la memoria y se puede corregir un error. Por lo tanto, en el proceso de cálculo de la capacidad real, el bit de paridad no se calcula y la capacidad real del banco de memoria de 18 partículas con función ECC se multiplica por 16. Al comprar, también puedes determinar si las 18 o 9 tarjetas de memoria son memoria ECC.
Partículas de memoria de micras
La identificación de capacidad de las partículas de memoria de micras es mucho más sencilla que la de Samsung. Usamos el número MT48LC16M8A2TG-75 para ilustrar las reglas de codificación de memoria de Micron.
Significado:
nombre del fabricante de mt-Micron.
Memoria de 48 tipos. 48 representa SDRAM; 46 representa DDR.
Tensión de alimentación LC. LC representa 3v; c representa 5v; v representa 2,5 V
16M8: la capacidad de memoria granular es de 128 Mbits y el método de cálculo es: 16 M (dirección) × ancho de datos de 8 bits.
a2-Número de versión del kernel de la memoria.
Método de embalaje TG, TG es embalaje TSOP.
-75-La velocidad de trabajo de la memoria, que es 133 MHz; -65 significa 150 MHz.
Ejemplo: Un módulo de memoria DDR de micras consta de 18 partículas numeradas MT46V32M4-75. La memoria admite la función ECC. Entonces cada banco de memoria tiene un número impar de partículas de memoria.
La capacidad se calcula como: capacidad 32M × 4bit × 16 chips/8 = 256MB (megabyte).
Partículas de almacenamiento de Siemens
Actualmente, Infineon, una filial de Siemens, solo produce dos tipos de partículas de memoria en el mercado nacional: partículas de 128 Mbits de capacidad y partículas de 256 Mbits de capacidad. Los números detallan la capacidad y el ancho de datos de su memoria. El modelo de gestión y organización de colas de memoria de Infineon es que cada partícula consta de 4 bancos de memoria. Por lo tanto, su modelo de partículas de memoria es relativamente pequeño y el más fácil de distinguir.
HYB39S128400 indica 128 MB/4 bits, "128" indica la capacidad de la partícula y los últimos tres dígitos indican el ancho de datos de la memoria.
Lo mismo ocurre con otros, como: HYB39S128800, que es de 128 MB/8 bits; HYB39S128160 es de 128 MB/16 bits;
La tasa de trabajo de las partículas de memoria de Infineon se representa agregando una línea corta al final del modelo y luego etiquetando la tasa de trabajo.
-7,5-significa que la frecuencia de trabajo de la memoria es de 133 MHz;
-8-significa que la frecuencia de trabajo de la memoria es de 100 MHz.
Por ejemplo:
1 módulo de memoria Kingston está producido por 16 chips de memoria Infineon HYB39S128400-7.5. Su capacidad se calcula así: 128Mbits (megabits) × 16 chips /8 = 256MB (megabits).
1 chip de memoria Ramaxel está producido por 8 chips de memoria Infineon HYB39S128800-7.5. Su capacidad se calcula como: 128 megabits × 8 chips/8 = 128 megabits.
Partículas de memoria Kingmax
Las memorias Kingmax están todas empaquetadas en TinyBGA (matriz de rejilla de bolas diminutas). Además, el método de envasado es un producto patentado, por lo que vemos que todas las tarjetas de memoria de partículas Kingmax son producidas por la propia fábrica. Las partículas de memoria Kingmax están disponibles en capacidades de 64 Mbits y 128 Mbits. Aquí puede enumerar los modelos de granularidad de memoria para cada serie de capacidad.
Observaciones sobre capacidad:
Ksva 44t 4a0a-64mbits, espacio de direcciones de 16M × ancho de datos de 4 bits;
Ksv884t 4a0a-64mbits, espacio de direcciones de 8M × 8; bits Ancho de datos;
Ksv244t4xxx-128 mbits, espacio de direcciones de 32 M × ancho de datos de 4 bits;
Ksv684t4xxx-128 mbits, espacio de direcciones de 16 M × ancho de datos de 8 bits;
Ksv864t4xxx-128 Mbits, espacio de direcciones de 8 m × ancho de datos de 16 bits.
La velocidad de trabajo de la memoria Kingmax tiene cuatro estados, separados por un símbolo de guión después del número de modelo para identificar la velocidad de trabajo de la memoria:
-7A——PC 133/CL = 2;
-7——PC 133/CL = 3;
-8A——PC 100/CL = 2;
-8—— PC100 /CL=3.
Por ejemplo, un módulo de memoria Kingmax consta de 16 bloques KSV884T4A0A-7A y su capacidad se calcula como: 64 Mbits × 16 bloques/8 = 128 MB (megabytes).
Moderna (moderna)
La memoria SDRAM moderna tiene muy buena compatibilidad y las placas base que admiten DIMM generalmente se pueden utilizar sin problemas. El formato del número de serie del chip SDRAM es: HY5A B CDEFG H I J KLM-NO.
Donde HY representa productos modernos; 5a representa el tipo de chip (57=SDRAM, 5D = DDR SDRAM);); b representa el voltaje de funcionamiento (en blanco = 5V, v = 3,3v, u = 2,5v); Cde representa la capacidad y la frecuencia de actualización (16 = 16 Mbits, 4K Ref, 64 = 64 Mbits, 8K Ref, 65 = 64 Mbits, 4K Ref, 128 = 128 Mbits, 8K Ref, 129 = Fg representa el ancho de bits de los datos de salida del chip (40 , 80, 16, 32 representan 4 bits, 8 bits, h representa varios bancos de memoria en el chip de memoria (1, 2, 3 representan 2, 4 y 8 bancos de memoria respectivamente, que son potencias de 2); (0 = interfaz LV TTL [TTL de bajo voltaje]); j representa la versión del kernel (puede estar en blanco o letras como A, B, C, D, etc., esta última representa un kernel más nuevo k representa el consumo de energía); (L = chip de bajo consumo de energía, en blanco = chip ordinario); Lm representa la forma del embalaje (JC=400mil SOJ, TC=400mil TSOP-II, TD=13mm TSOP-II, TG=16mm.
TSOP-II); No representa Velocidad (7 = 7 ns [143mhz], 8 = 8 ns [125mhz], 10p = 10ns [PC-100 Cl2 o 3], 10s = 65438. 10 = 10ns [100] MHz], 12 = 12 ns [83 MHz], 15 = 5 ns [66 MHz].
Por ejemplo, HY57V658010CTC-10s, HY representa un chip moderno, 57 representa SDRAM, 65 representa 64 Mbit y un ciclo de actualización de 4k/64 ms. 8 es una salida de 8 bits y 10 son dos bancos, C es la cuarta versión del núcleo, TC es el paquete TSOP-II de 400 mil y.