El conjunto completo de información detallada sobre Jiang Dachuan
Introducción básica Nombre chino: Jiang Dachuan Nacionalidad: china Institución de graduación: Universidad Tecnológica de Dalian Título/educación: experiencia laboral doctoral, experiencia educativa, campo de investigación, trabajos representativos, resultados laborales, experiencia laboral: 2014.06-presente Profesor, Escuela de Ciencia e Ingeniería de Materiales, Universidad Tecnológica de Dalian: 2012.06-2014.06 Experiencia en educación posdoctoral: 2006.09-2012.06 Investigación sobre tecnología para preparar polisilicio de grado solar mediante fusión con haz de electrones: Investigación sobre tecnología de purificación direccional de polisilicio: Dirección de investigación de maestría: Fabricación metalúrgica de polisilicio de grado solar; Reciclaje de polisilicio de grado solar: Fabricación de materiales: Documento representativo 1. Jiang Dachuan, Ren Shiqiang, Shuang Shi, Wei Dong, Qiu Jieshan, Li Jiayan: Eliminación de fósforo del silicio mediante refinación al vacío y tecnología de solidificación direccional, Journal of Electronic Materials, 48(2)(2014)314-319. Zhang Lei, Jiang Dachuan, Li Yaqiong: Investigación sobre la eliminación de boro del silicio policristalino utilizando escoria de fluoruro de silicio de aluminio y calcio, Vacuum, 103 (2014) 33-37. M. Noor ul Huda Khan Asghar, Shi Shuang, Jiang Dachuan, Qin Shiqiang, Jiao Liao, Wen Shutao, Wei Dong: Eliminación de oxígeno del silicio mediante fusión con haz de electrones, Física Aplicada A, 115(3)(2014)753 -757.4 ., Ren Shiqiang, Shuang Shi, Wen Shutao, Jiang Dachuan, Wei Dong, Ming Ji, Sun Shihai: Eliminación de aluminio y calcio del silicio policristalino mediante fusión por inducción al vacío y método de solidificación direccional, Vacío, 99 (2014) 272-276.5. , Qin Shiqiang, Wen Shutao, Shuang Shi, Jiang Dachuan y Pang Pangyu: un nuevo método para eliminar el boro del silicio mediante inyección de haz de electrones, Materials Science in Semiconductor Processing, 18 (2014) 42-45. Shi, Pang Pangyu, Wei Dong: Investigación sobre la distribución de aluminio en lingotes de silicio fundido por haz de electrones, Vacuum, 96 (2013) 27-31. Qin Yi, Shuang Shi, Jiang Dachuan, Wei Dong, Ren Shiqiang: Efecto de. Velocidad de enfriamiento en la solidificación de lingotes de silicio fundidos por haz de electrones Influence, Vacuum, 89 (2013) 12-16., Shu Taowen, Shuang Shi, Jiang Dachuan, Wei Dong: Simulación numérica de optimización de los parámetros del proceso para la fusión por haz de electrones. purificar silicio, Vacuum, 95 (2013) 18-24 9. Shi Shuang, Wei Dong y Jiang Dachuan: Mecanismo de evaporación y eliminación del fósforo en la superficie del silicio fundido durante la fusión por haz de electrones, Applied Surface Science, 266 (3). ) (2013) 344-349. Shu Taowen, Shuang Shi, Wei Dong, Jiang Dachuan, Jiao Liao: Resistencia térmica de contacto de las superficies del crisol de silicio y cobre durante la fusión por haz de electrones, International Thermal Science, 74 (2013) 37. -43. 11. Qin Yi, Shuang Shi, Wei Dong, Jiang Dachuan: Investigación sobre el proceso de eliminación de silicio mediante fusión por haz de electrones, Vacío, 93 (2013) 65-70. Zheng Gu, Zou Ruixun: Eliminación de silicio de la masa fundida mediante vela con haz de electrones que derrite el fósforo, Materials Letters, 78 (2012) 4-7. Jiang Dachuan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu: Eliminación de aluminio metálico evaporado y. calcio a partir de silicio solidificado direccionalmente para células solares mediante fusión con vela por haz de electrones, vacío, 86(10)(2012)1417-1422. 14. Jiang Dachuan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Zou Ruixun: Investigación sobre un nuevo método para eliminación de fósforo de la masa fundida de silicio mediante fusión con vela por haz de electrones, Materials Research Innovation, 15 (6) (2011) 406-409 15. Xu Peng, Wei Dong, Jiang Dachuan: Eliminación de aluminio del silicio de grado metalúrgico mediante fusión por haz de electrones, vacío. 86 (4) (2011) 471-475 16. Wang Qiang, Wei Dong, Jiang Dachuan, Zhang Cong: Evaporación de impurezas en silicio de grado metalúrgico durante la fusión por haz de electrones, Rare Metals, 30(3) (2011) 274- 277. Proyectos de resultados de trabajo: 1. Líder del proyecto del Fondo Juvenil de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China "Investigación sobre el efecto de resorte inducido inverso en la solidificación direccional del silicio policristalino" 2. Líder del proyecto de la Fundación Científica Postdoctoral de China "Investigación sobre tecnología de resortes de inducción inversa para la purificación direccional de silicio policristalino" 3. Hay 4 participantes en el Programa Nacional de Apoyo a la Ciencia y la Tecnología "Demostración de investigación e industrialización de tecnologías clave para la preparación de polisilicio de grado solar mediante métodos metalúrgicos". Participante Nacional 5 del proyecto conjunto de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China "Investigación sobre el refinado al vacío de polisilicio de grado solar preparado mediante métodos metalúrgicos". Proyecto de la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China "Investigación sobre el efecto de la inyección de un haz de electrones en la interfaz SiO2_2 Impureza Migración de boro del silicio policristalino Si" Premios de los participantes: 1.2013 65438+2 meses Premio a la invención en ciencia y tecnología de la provincia de Liaoning Segundo premio por la preparación del haz de electrones Tecnología y aplicación de materiales de silicio policristalino solar 2.2012 1.65438 Primer premio del Premio de Invención de Ciencia y Tecnología de Dalian por la preparación de polisilicio solar con haz de electrones. Solicitudes de tecnología y patentes: 1. * *Ting, Jiang Dachuan, Ren Shiqiang, Shi Shuang. Un proceso de fundición de lingotes de silicio policristalino con compensación de elementos de boro en la parte inferior, número de solicitud: CN 201410123650.52. Tan Yi. Jiang Da Chuan. Un proceso de fundición de lingotes de silicio policristalino en el que el boro se distribuye uniformemente, número de solicitud: CN 201410123795.53. Jiang Dachuan, Ren Shiqiang, Shi Shuang, Tan Yi, Qiu Jieshan. Métodos y equipos de separación sólido-líquido al vacío para materiales de silicio huecos de alta pureza y lingotes de silicio policristalino. Número de solicitud: CN201310209897.4 4. Jiang Dachuan, Ren Shiqiang, Shi Shuang, * * * Ting. Un método de solidificación rápida de silicio policristalino, número de solicitud: CN201310533033.8 5. Tan Yi.
Número de solicitud: cn 201310210007.16. Qin Yi, Jiang Dachuan, Shi Shuang, Wen Shutao, Zou Ruixun. Un dispositivo de interceptación de radiación para crisol de fusión de haz de electrones, número de solicitud: CN201365438. * * * Ting. Dispositivo y método para la solidificación inversa de silicio policristalino, número de solicitud: CN201310530845.78. Li Jiayan, Qin Yi, Li Yaqiong, Jiang Dachuan, Wang Dengke, Zhang Lei. Agente formador de escoria eliminador de boro para la fundición de medios de silicio policristalino y su método de uso, número de solicitud: CN 2065438. Li Jiayan, Wang Dengke, Zhang Lei, Jiang Dachuan, Li Yaqiong. Un agente de escoria utilizado para la eliminación de boro en la fundición de medios de silicio policristalino y su método de uso, número de solicitud: CN 201310337756.0 10. Tan Yi, Shi Shuang, Ren Shiqiang, Jiang Dachuan. Separación sólido-líquido al vacío de lingotes de silicio policristalino. Número de solicitud: cn 201310210006.7 11. Tan Yi, Li Jiayan, Zhang Lei, Li Yaqiong, Wang Dengke, Jiang Dachuan. Un agente de escoria para fundir un medio de silicio policristalino y su método de uso, número de solicitud: cn 201310337930.12. , Jiang Dachuan, Shi Shuang, Liao Jiao, Shi. Un método para preparar materiales de electrodos de tungsteno mediante fusión por haz de electrones, número de solicitud: CN20121058. Guo Xiaoliang. Un método para eliminar impurezas mediante solidificación direccional inducida por haz de electrones, número de solicitud: CN 201210289971.3 14. , Shi Shuang, Tú Xiaogang, Jiang Dachuan, Shi. Un método para preparar materiales de electrodos de tungsteno de tierras raras, número de solicitud: cn 201210576414. x 15. , Liu Yingkuan, Sheng, , Shi Shuang, Liu Zhenyuan, Dong Wei, Jiang Dachuan. Un método y equipo para purificar polisilicio mediante fusión por haz de electrones bajo un sustrato de silicio de alta pureza, número de solicitud: cn 201110220767.116. Qin Yi, Jiang Dachuan, Dong Wei, Guo Xiaoliang, Zheng Gu, Pang Bangyu, Shi Shuang. Método y equipo para eliminar fósforo e impurezas metálicas en polvo de silicio mediante fusión por inducción al vacío, número de patente: ZL 201110033792.9 17. Qin Yi, Jiang Dachuan, Dong Wei, Zheng Gu, Xu Peng. Un método para eliminar boro del silicio industrial, número de patente: ZL 201010242656. Jiang Dachuan, Zou Ruixun, Dong Wei. Un método para eliminar impurezas de boro en polisilicio mediante inyección por haz de electrones, número de patente: ZL 201010242065.9 19. Qin Yi, Zou Ruixun, Zheng Gu, Dong Wei, Jiang Dachuan. Un método de purificación por fusión en gradiente de haz de electrones. Número de patente: ZL 201010247815.1 20. Qin Yi, Dong Wei, Jiang Dachuan, Li Guobin. Método y dispositivo para la eliminación por evaporación parcial de boro a partir de polisilicio, número de patente: ZL 200910220058.6 21+. Jiang Da Chuan. Método y dispositivo para eliminar fósforo y boro de silicio policristalino mediante fundición continua, número de patente: ZL200910220059.0 22. Tan Yi, Jiang Dachuan, Li Guobin, Xu Fumin, Liu Yanjiao, Hu Zuqi. Un método de purificación metalúrgica química de polisilicio, número de patente: ZL 200810065438. Li Guobin, Jiang Dachuan, Zhang Cong. Un método y dispositivo para eliminar impurezas de fósforo del polisilicio, número de patente: ZL 200810011949.624. Qin Yi, Li Guobin, Jiang Dachuan, Xu Fumin, Wang Qiang. Método y dispositivo para eliminar impurezas de fósforo e impurezas metálicas en silicio policristalino, número de patente: ZL 2000.