Red de Respuestas Legales - Derecho de patentes - Catálogo de libros sobre diseño práctico de circuitos analógicos

Catálogo de libros sobre diseño práctico de circuitos analógicos

Capítulo 1 Introducción

1.1 El diseño analógico sigue siendo esencial.

1.2 Historia del desarrollo temprano de la tecnología de circuitos integrados analógicos

Comparación de la implementación digital y la implementación analógica de 1.3

1.4 Los diseñadores de circuitos analógicos tienen desafíos y diversión.

1.5 Descripción de reglas de nomenclatura

1.6 Descripción

1.7 citas

1.8 Patentes de EE. UU.

Revisión del Capítulo 2 de conocimientos básicos de procesamiento de señales

2.1 Transformada de Laplace, función de transferencia y diagrama polo-cero

2.2 Respuesta del sistema de primer orden

2.2.1 Primer orden Estimación de la respuesta de baja y alta frecuencia del sistema

2.2.2 Respuesta escalonada de corta duración del sistema de primer orden

2.2.3 Polos adicionales de alta frecuencia del sistema de primer orden sistema de orden

2.3 Sistema de segundo orden

2.3.1 Sistema oscilador de resorte

2.3.2 Sistema de circuito de segundo orden

Calidad factor q

2.3 .4 Respuesta transitoria del sistema de segundo orden

2.3.5 Agregar polos de alta frecuencia adicionales en el sistema de circuito de segundo orden.

2.3.6 Sistema de segundo orden con gran intervalo de distribución de polos en el eje real

2.3.7 Encuentre la posición aproximada del polo a partir del denominador de la función de transferencia.

2.4 Circuito resonante

2.5 Análisis de circuito resonante no amortiguado mediante el método de la energía

2.6 Función de transferencia, diagrama de polo cero y diagrama de Bode

2.7 Tiempo de subida de sistemas en cascada

2.8 Ejercicios en este capítulo

2.9 Referencias

Capítulo 3 Física de diodos, diodo ideal (y no ideal)

Un material cuya conductividad está entre la de un conductor y la de un aislante se llama semiconductor. En los dispositivos electrónicos, los materiales semiconductores comúnmente utilizados incluyen: semiconductores elementales, como silicio (Si) y germanio (Ge); semiconductores compuestos, como arseniuro de galio (GaAs); y materiales semiconductores dopados con otros compuestos, como por ejemplo. boro (b), fósforo (p), indio (in) y antimonio (Sb).

3.1 Corriente en aisladores, buenos conductores y semiconductores

3.2 Electrones y huecos

3.3 Deriva, difusión, recombinación y generación

3.3 .1 Deriva

Difusión

3.3.3 Generación y recombinación

3.3.4 Corriente total de semiconductores

3.4 Dopaje de semiconductores Efecto híbrido

3.4.1 Material dopado donante

Material dopado aceptor

3.5 Unión PN en estado de equilibrio térmico

3.6 Unión PN con polarización directa voltaje aplicado

3.7 Diodo con polarización inversa

3.8 Ecuación del diodo ideal

3.9 Almacenamiento de carga en el diodo

3.10 Almacenamiento de carga en diodos con polarización directa

3.11 Recuperación inversa del diodo bipolar

3.12 Avería inversa

3.13 Hoja de datos del diodo

3.14 Diodo Schottky

3.15 Ejercicios para este capítulo

3.16 Referencias

Capítulo 4 Modelo de transistor bipolar

4.1 Registros históricos

4.2 Transistores NPN básicos

4.3 Modelos de transistores en diferentes áreas operativas

4.4 Modelo de crecimiento de baja frecuencia de transistores bipolares

4.5 Modelo de crecimiento de alta frecuencia de transistores bipolares

4.6 Lectura de hojas de datos de transistores

4.6.1 Parámetros de señales grandes (βF, VCE, SAT)

4.6.2 Parámetros de señales pequeñas (rx de hfe, Cμ, suma Cπ)

4.7 Limitaciones del modelo “π mixto”

4.8 Ejercicios en este capítulo

4.9 Referencias

Capítulo 5 Amplificadores de transistores bipolares básicos y su polarización Configuración

5.1 Configuración de polarización de transistor

5.2 Algunos amplificadores de transistores

5.2.1 ***Amplificador emisor

5.2.2 Ganancia, resistencia de entrada y resistencia de salida de baja frecuencia del seguidor de emisor

Amplificador diferencial

5.3 Ejercicios en este capítulo

5.4 Referencias

Capítulo 6 Método de constante de tiempo de circuito abierto y tecnología de estimación de ancho de banda

6.1 Introducción a las constantes de tiempo

p>

6.2 Ejemplo de amplificador de transistores

6.3 Ejercicios en este capítulo

6.4 Referencias

Capítulo 7 Tecnología avanzada de amplificador de transistores

7.1 Cálculo de la constante de tiempo de circuito abierto de circuitos complejos

7.2 Salida de alta frecuencia y resistencia de entrada del circuito amortiguador seguidor del emisor

7.3 Circuito Bootstrap

7.4 Constante de tiempo de cortocircuito

7.5 Técnica de división de polos

7.6 Ejercicios de este capítulo

7.7 Referencias

Capítulo 8 Amplificadores duales de alta ganancia y espejos de corriente BJT

8.1 La necesidad de aumentar los modelos híbridos π

8.2 Modulación de ancho de base

8.3 Consulte los parámetros del transistor en la hoja de datos del transistor.

8.4 * *El amplificador emisor impulsa la carga de la fuente de corriente

8.5 Construye el módulo de circuito

8.5.1 Aumenta la resistencia de salida de la fuente de corriente bipolar

8.5.2 Aumento de la resistencia de entrada del seguidor de emisor

Espejo de corriente

8.5.4 Espejo de corriente básico con degradación del emisor

8. Espejo de corriente "Beta Booster"

Espejo de corriente Wilson

8. 7 * * * Espejo de corriente para amplificador emisor

Espejo de corriente Widlar

8.6 Ejercicios en este capítulo

8.7 Referencias

Capítulo 9 Introducción a los dispositivos MOSFET y amplificadores MOS básicos

Los transistores Mos son transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico , o semiconductor aislante metálico. La fuente y el drenaje de los transistores MOS se pueden conmutar y ambos son regiones de tipo N formadas en la puerta trasera de tipo P. En la mayoría de los casos, las dos regiones son iguales, e incluso si se cambian los dos extremos, no afectará el rendimiento del dispositivo. Estos dispositivos se consideran simétricos.

9.1 Historia temprana de los transistores de efecto de campo

9.2 Discusión cualitativa de los dispositivos MOS básicos

9.3 Curvas voltios-amperios de los dispositivos MOS

9.4 Modelo de dispositivos MOS de pequeña señal de baja frecuencia

9.5 Modelo de dispositivos MOS de pequeña señal de alta frecuencia

9.6 Amplificador MOS básico

9.6.1 Seguidor de fuente

9.6.2 ***Amplificador de fuente

9.6.3 ***Amplificador de puerta

9.6.4 Espejo de corriente MOS

9.7 Ejercicios de este capítulo

9.8 Referencias

Capítulo 10 Modelo de control de carga y interruptor de transistor bipolar

10.1 Descripción general

10.2 Interruptor Proceso de derivación del modelo

10.3 Región de amplificación inversa

10.4 Saturación

10.5 Capacitancia de unión

10.6 Parámetros de control de carga y parámetros π mixtos La relación

10.7 Obtener el valor de capacitancia de la unión de la hoja de datos.

10.8 Prueba del fabricante

10.9 Ejemplo de modelo de control de carga

10.10 Interruptor del transmisor

Extraído de la hoja de datos 10.11 2N2222

10.12 Ejercicios para este capítulo

10.13 Referencias

Capítulo 11 Sistema de retroalimentación

La retroalimentación, también conocida como retroalimentación, es el concepto básico de la teoría del control y se refiere al sistema Un proceso en el que la salida regresa a la entrada y cambia la entrada de alguna manera, afectando así la función del sistema. La retroalimentación se puede dividir en retroalimentación negativa y retroalimentación positiva. El primero hace que la salida desempeñe el papel opuesto al de la entrada, reduce el error entre la salida del sistema y el objetivo del sistema y estabiliza el sistema, y ​​el segundo hace que la salida desempeñe un papel similar al de la entrada, lo que hace que la desviación del sistema continúe aumentando; y haciendo que el sistema oscile, y puede amplificar el efecto de control. El estudio de la retroalimentación negativa es el núcleo de la cibernética. A esto se suma la actual teoría de la retroalimentación negativa.

11.1 Conocimientos básicos e historia temprana de los sistemas de retroalimentación

11.2 La invención del amplificador de retroalimentación negativa

11.3 Conceptos básicos de los sistemas de control

11.4 Transmisión de bucles y supresión de interferencias

11.5 Estabilidad

11.6 Estándar de estabilidad de Routh

11.7 Prueba de margen de fase y margen de ganancia

11.8 La relación entre el coeficiente de amortiguación y el margen de fase

11.9 Tecnología de compensación de bucle: circuito principal y circuito de retraso

11.10 Introducción al bucle de retroalimentación

11.11 Apéndice: MATLAB Script

11.12 Ejercicios para este capítulo

11.13 Referencias

Capítulo 12 Estructura de circuito básico y análisis de ejemplo de amplificador operacional

12.1 Conceptos básicos del dispositivo Características de funcionamiento

12.2 Breve descripción del circuito del amplificador operacional LM741

12.3 Algunas limitaciones prácticas del amplificador operacional

12.4 Ejercicios de este capítulo

12.5 Literatura de referencia

Capítulo 13 Amplificador operacional con retroalimentación de corriente

13.1 Amplificador operacional con retroalimentación de voltaje tradicional y su constante de "producto de ancho de banda de ganancia"

13.2 Serie de amplificador operacional tradicional Limitación de velocidad

13.3 Conceptos básicos del amplificador operacional de retroalimentación actual

13.4 Amplificador operacional de retroalimentación actual No hay límite de velocidad de respuesta.

13.5 Información de la hoja de datos del fabricante del amplificador de retroalimentación actual

13.6 Modelos más refinados de amplificadores operacionales de retroalimentación actual y sus factores limitantes.

13.7 Ejercicios para este capítulo

13.8 Referencias

Capítulo 14 Filtro de paso bajo analógico

14.1 Introducción

14.2 Conocimientos básicos del filtro paso bajo

14.3 Filtro Butterworth

14.4 Filtro Chebyshev

14.5 Filtro Bessel

14.6 Comparación de respuestas de diferentes filtros

14.7 Implementación de filtro

1 Ladder

14.7.2 Implementación de filtro - modo activo

14.7.3 Elíptica (" pared de ladrillo")

14.7.4 Filtro de paso total

14.8 Ejercicios para este capítulo

14.9 Literatura de referencia

Capítulo 15 Descripción general de los componentes pasivos y estudio de caso de diseño de PCB

15.1 Resistencias

15.2 Introducción a las resistencias en chip

15.3 Tipo resistivo

15.4 Condensador

15.5 Inductor

15.6 Discusión sobre el diseño de la placa de circuito

15.6.1 Bypass de fuente de alimentación

15.6.2 Capa de tierra

15.6.3 Ancho de línea de PCB

15.7 Inductancia aproximada de las trazas de PCB en la capa de tierra

15.8 Ejercicios en este capítulo

15.9 Referencias

Capítulo 16 Tecnología de diseño práctico y otros

16.1 Bucle térmico

16.2 Modelo de estado estacionario de conducción de calor

16.3 Almacenamiento de calor

16.4 Utilice tecnología de simulación de trayectoria térmica para determinar la temperatura de unión de semiconductores estáticos.

16.5 Tecnología de simulación de circuitos mecánicos

16.6 Principio transconductor

16.7 Resistencia de entrada de una red de escalera de resistencia infinita

16.8 Fundamentos de las líneas de transmisión ( Líneas de transmisión 101)

16.9 Ecuaciones nodales y ley de Clem

16.10 Resolución de modos de oscilación

16.11 Aplicación de leyes proporcionales

16.11 .1 Ley de proporción geométrica

16.11.2 Velocidad del pez/barco (ley de Froude)

16.11.3 Fruto en el árbol

16.11.4 Momento de flexión

16.11.5 Tamaño corporal y calor (ley de Bergmann)

16.11.6 Altura y salto (ley de Borrell)

16.11.7 Velocidad al caminar ( Ley de Froude)

1.6 1.8 Capacitancia

16.11.9 Inductancia

16.11.10 Fuerza de elevación del campo electromagnético

16.12 Ejercicio del capítulo

16.13 Referencias