Inductancia parásita de vías

Asimismo, existen capacitancias parásitas e inductancias parásitas en las vías. En el diseño de circuitos digitales de alta velocidad, el daño causado por la inductancia parásita en las vías suele ser mayor que el impacto de la capacitancia parásita. Su inductancia en serie parásita debilitará la contribución del condensador de derivación y debilitará el efecto de filtrado de todo el sistema de suministro de energía. Simplemente podemos calcular la inductancia parásita aproximada de la vía mediante la siguiente fórmula:

L=5.08h[ln(4h/d) 1]

Donde l se refiere a la inductancia de la vía, h es la longitud del orificio de la vía y d es el diámetro del orificio central. De la fórmula se puede ver que el diámetro del orificio vía tiene poco impacto en la inductancia, pero la longitud del orificio vía tiene el mayor impacto en la inductancia. Siguiendo con el ejemplo anterior, la inductancia del orificio pasante se puede calcular como: l = 5,08 x 0,050[ln(4x 0,050/0,010) 1]= 1,015nh. Si el tiempo de subida de la señal es 1ns, la impedancia equivalente es XL =πL/t 10-90 = 3,19ω. Cuando una corriente de alta frecuencia fluye a través de él, esta impedancia no se puede ignorar. Es importante tener en cuenta que el condensador de derivación debe pasar a través de dos vías cuando se conecta la capa de energía y la capa de tierra, por lo que la inductancia parásita de las vías aumentará exponencialmente.