Transistores atómicamente delgados desarrollados en chips
La información sobre el crecimiento de transistores atómicamente delgados en chips es la siguiente:
Un equipo interdisciplinario del Instituto Tecnológico de Massachusetts en Estados Unidos ha desarrollado un proceso de crecimiento a baja temperatura que puede ser cultivado de manera efectiva directamente en chips de silicio y "crece" eficientemente capas de material de dicalcogenuro de metal de transición (TMD) bidimensional (2D) para lograr una integración más densa.
Esta tecnología puede hacer que los chips sean más densos y potentes. El artículo correspondiente se publicó en el último número de la revista Nature Nanotechnology.
Esta tecnología evita problemas anteriores asociados con altas temperaturas y defectos de transporte de material, acorta los tiempos de crecimiento y permite la formación de capas uniformes en obleas más grandes de 8 pulgadas, lo que la hace comercialmente viable e ideal para aplicaciones.
Las aplicaciones de inteligencia artificial emergentes, como los chatbots que generan el habla humana, requieren chips informáticos más densos y potentes. Pero los chips semiconductores se fabrican tradicionalmente a partir de materiales a granel, que son estructuras cuadradas tridimensionales (3D), lo que dificulta el apilamiento de múltiples capas de transistores para una integración más densa.
Sin embargo, los transistores fabricados con materiales 2D ultrafinos, cada uno de sólo tres átomos de espesor, se pueden apilar para crear chips más potentes.
Conseguir que los materiales 2D crezcan directamente sobre obleas de silicio es un gran desafío porque el proceso normalmente requiere altas temperaturas de alrededor de 600 °C, y los transistores y circuitos de silicio pueden dañarse cuando se calientan por encima de 400 °C. El nuevo proceso de crecimiento a baja temperatura no daña el chip.
En el pasado, los investigadores cultivaban materiales 2D en otros lugares antes de transferirlos a chips u obleas. Esto a menudo conduce a defectos que afectan el rendimiento del dispositivo y circuito final.
Además, es extremadamente difícil transferir materiales sin problemas a escala de oblea. Por el contrario, el nuevo proceso genera una capa suave y muy uniforme en una oblea de 8 pulgadas.
Esta nueva tecnología también puede reducir significativamente el tiempo necesario para "cultivar" estos materiales. Mientras que los métodos anteriores tardaban más de un día en hacer crecer una capa de material 2D, el nuevo método puede hacer crecer una capa uniforme de material TMD en una oblea de 8 pulgadas en menos de una hora.