¿Cuántos nanómetros tiene la oblea Samsung V5?

Disponible para 5 nm y 7 nm

Samsung anunció a través del centro de noticias del sitio web oficial que ha implementado un proceso FinFET de 5 nm basado en litografía EUV y está listo para entrar en producción. Se informa que este logro fue contribuido por la fábrica de obleas S3 de Samsung en Hwaseong, Corea del Sur y sus socios de la cadena de suministro.

En comparación con los 7 nm, el proceso FinFET de 5 nm de Samsung aumenta el número de transistores en un área específica en un 25 %, mejora el rendimiento en un 10 % y reduce el consumo de energía en un 20 %. Además, es la reutilización de Samsung. La propiedad intelectual relacionada con los 7 nm como resultado, los costos de tiempo y los costos de implementación se reducen significativamente.