Red de Respuestas Legales - Información empresarial - La historia de desarrollo de Shanghai Sapphire Optoelectronic Materials Co., Ltd.

La historia de desarrollo de Shanghai Sapphire Optoelectronic Materials Co., Ltd.

Al principio, la empresa tenía su sede en el Instituto de Física de la Academia de Ciencias de China. Posteriormente, se presentó un equipo técnico de la provincia de Taiwán para cooperar con el Instituto de Semiconductores de la Academia de Ciencias de China, la Universidad Tecnológica de Beijing y la Universidad de Shanghai en la industria, el mundo académico y la investigación. Cuenta con un equipo de tecnología de gestión de LED de primera clase en China y tiene sólidas capacidades en el desarrollo de nuevas tecnologías, nuevos procesos y nuevos productos.

La compañía ha emprendido sucesivamente importantes proyectos de ciencia y tecnología industriales del Décimo y Undécimo Proyecto Quinquenal Nacional de Iluminación de Semiconductores del “Plan 863”, y ha emprendido más de diez proyectos clave de ciencia y tecnología óptica en Shanghai. Los proyectos de industrialización de oblea epitaxial de diodo emisor de luz semiconductor a base de nitruro de galio y de preparación de chips LED de potencia fueron catalogados respectivamente como proyectos de transformación de logros de alta tecnología de Shanghai, y el proyecto de preparación de chips LED de potencia de alto brillo fue calificado como un proyecto de inversión sobresaliente por la Comisión Nacional de Desarrollo y Reforma y el proyecto "Top 100" de Shanghai. A través de una innovación tecnológica incesante, nos esforzamos por promover la construcción de proyectos de iluminación de semiconductores en China e implementar políticas y medidas de conservación de energía y reducción de emisiones.

La empresa se centra en la investigación y el desarrollo de tecnología con derechos de propiedad intelectual independientes. En la actualidad ha solicitado y es titular de 23 patentes técnicas, de las cuales 9 han sido autorizadas (6 patentes de invención nacionales, 2 patentes de modelo de utilidad y 1 patente de diseño).

La empresa ha dominado tecnologías maduras y avanzadas, como soldadura de chip invertido, película ITO, rugosidad de superficies, revestimiento posterior de aluminio y protección antiestática. En los últimos años, se han logrado avances clave y aplicaciones de procesos en nuevas tecnologías como sustratos gráficos, despegue láser y estructuras verticales. La empresa está a punto de alcanzar el objetivo de industrialización LED de 100 lm/W y alcanzar el nivel avanzado internacional.

La empresa implementa la gestión de sistemas de recursos ERP y se especializa en la producción y venta en masa de obleas epitaxiales LED azules y verdes de GaN, chips de potencia de alto brillo y productos de chips ordinarios, con una producción anual de 2000 KK.

La eficiencia lumínica de los chips LED blancos de alta potencia alcanza el nivel líder a nivel nacional de más de 60 lm/W y puede usarse ampliamente en iluminación interior, alumbrado público, iluminación de túneles e iluminación de paisajes urbanos.

En los últimos ocho años, la empresa ha vivido dos etapas: emprendimiento y crecimiento. A partir de 2008, Sapphire hará grandes esfuerzos y entrará en un período de rápido desarrollo, decidido a despegar con valentía y crear mayor gloria. Introduciendo activamente inversores estratégicos nacionales y extranjeros y talentos técnicos y de gestión de alto nivel, nos hemos fijado el objetivo de duplicar los ingresos por ventas en 2008, cotizar la empresa en 3 años y entrar a la vanguardia de la industria LED mundial en 10 años.