Investigadores desarrollan puntos cuánticos de perovskita de alto rendimiento y los aplican con éxito a diodos emisores de luz
El nuevo equipo de visualización del Instituto de Semiconductores de la Academia de Ciencias de Guangdong cooperó con equipos relevantes del Instituto de Química Aplicada de Changchun de la Academia de Ciencias de China para desarrollar puntos cuánticos de perovskita de alto rendimiento y aplicarlos con éxito. a diodos emisores de luz. Una investigación relevante se publicó recientemente en el "Journal of Materials Chemistry C". El Dr. Wang Jiantai es el primer autor del artículo, y el Dr. Gong Zheng y el investigador Xie Zhiyuan son los autores correspondientes conjuntos.
Los puntos cuánticos de perovskita son un nuevo tipo de material optoelectrónico desarrollado en los últimos años debido a sus ventajas como una alta eficiencia cuántica de fluorescencia, un alto brillo, una alta tolerancia a defectos y una gama de colores que cumple con el estándar BT.2020. , se utilizan ampliamente en diodos emisores de luz (LED) y los nuevos campos de visualización tienen amplias perspectivas de aplicación. Sin embargo, los defectos superficiales de los puntos cuánticos de perovskita y las propiedades aislantes de los ligandos orgánicos superficiales tienen un impacto significativo en la eficiencia cuántica de su fluorescencia y el rendimiento de los dispositivos optoelectrónicos.
Los investigadores utilizaron iones de galio metálico de alta valencia para pasivar la superficie de puntos cuánticos de perovskita totalmente inorgánicos CsPbBr3 para preparar un dispositivo electroluminiscente de CsPbBr3 con alta eficiencia fotoeléctrica. Este trabajo se centra en el mecanismo de pasivación de la superficie y los efectos de rendimiento de una fuente de iones de galio metálico en puntos cuánticos de CsPbBr3.
Los resultados de la investigación muestran que la modificación de los iones metálicos de galio reduce significativamente la densidad de los estados defectuosos en la superficie de los puntos cuánticos de CsPbBr3 y mejora la eficiencia cuántica de la fluorescencia. Al mismo tiempo, la sustitución parcial de los ligandos orgánicos en ellos. La superficie de los puntos cuánticos por iones de galio mejora la velocidad de carga. En comparación con los dispositivos de puntos cuánticos sin modificación de iones de galio, los dispositivos electroluminiscentes preparados a base de este material de puntos cuánticos tienen un brillo máximo que es dos veces mayor, una eficiencia de corriente que es más de nueve veces más eficiente y una vida útil del dispositivo que es de más de siete. veces más.
Este método resuelve el problema del impacto de los defectos de la superficie de los puntos cuánticos en el rendimiento del dispositivo y desarrolla un método para pasivar los defectos de los puntos cuánticos en este sistema.
Información del artículo relacionado: https://doi.org/10.1039/D1TC01077H